CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括：

介電材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

類金剛石（DLC）

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產品特點：

PLC工控機控制整個清洗過程，全自動進行。

7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化操作界面顯示，自動監測工藝參數狀態，0~99配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數據，機器運行、停止提示。

手動、自動兩種工作模式。

全真空管路系統采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。

采用防腐數字流量計控制，標配雙路氣體輸送系統，可選多氣路氣體輸送系統，氣體分配均勻?？奢斎?/span>氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

具備HEPA高效過濾氣體返填吹掃功能。

符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。

316不銹鋼、航空鋁真空倉選擇。

采用頂置真空倉，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。

有效處理面積大，可處理最大直徑200mm晶元硅片。

安全保護，倉門打開，自動關閉電源。

技術參數

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當等離子蝕刻應用涉及使用氧氣作為工藝氣體時，出于安全原因，強烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級旋片泵或類似的合成油旋轉機械泵。因為Edwards愛德華RV3雙級旋片泵在泵科學應用方面已成為行業標準。當然，在需要避免使用油基旋轉機械泵的地方，也可選擇干式真空泵。